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Winbond Product Longevity Program
AutomotiveProduct Brief
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华邦电子成为全球首家获得ISO/SAE 21434道路车辆网络安全管理体系认证的存储厂商
News
(2022-08-31台湾台中讯)—— 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布,通过TÜV NORD 颁发的ISO/SAE 21434 道路车辆网络安全管理体系认证后,华邦现已成为全球首家获得该资质的存储厂商。 ISO/SAE 21434概述了汽车从概念、开发、生产、使用和报废过程中所需的安全标准,要求汽车系统应具备更强的信息安全功能以抵御网络攻击。ISO/SAE 21434适用于微型计算机及其组件,并要求汽车行业采用满足该标准的部件,以提供足够的网络安全防护。因此,许多汽车制造商及其部件供应商都将通过ISO/SAE 21434 认证作为强制标准,以显著改善车辆对网络威胁的管理能力。 ...
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闪存 - NAND Based MCP
NAND Based MCP
多芯片封装(MCP)系列产品是将1.8V的NAND记忆体和1.8V的低功耗DRAM合封于同一个封装中。两颗芯片合封在同一个封装中的好处是能够节省电路板的面积,进而降低整个系统的成本。在很多非常在意系统空间的应用中,例如手机和一些可携式装置,这种能让电路板面积缩小的多芯片封装,就显得更有优势。 自有DRAM和SLC NAND记忆体生产、制造技术 华邦是一间拥有DRAM和Flash独力设计、生产并销售的公司。换言之,从产品设计,生产制造到市场销售都是自有品牌并无假手他人的公司,因此能向全世界稳定提供最好最优质的中低容量记忆体产品。 自有12吋晶圆厂 华邦用自有的12吋厂来专门设计生产高性能、低功耗...
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华邦电子W77Q安全闪存获得ISO/SAE 21434认证,成为首家获得该认证的内存供应商
News
(2023-08-08台湾台中讯)——全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布,TrustME® W77Q安全闪存系列已获得权威认证——ISO/SAE 21434。华邦电子现为全球首家获得此认证标准的内存供应商。 ISO/SAE 21434 标准全称为 ISO/SAE 21434 (道路车辆 - 信息安全工程)标准,是由ISO(国际标准化组织)和 SAE International (美国汽车工程师学会)制定的行业标准。其侧重于通过规定要求,确保汽车系统免受网络攻击,以保护道路使用者。本标准适用于成品车以及网络安全相关的子组件,包括IC组件等。除此之外,要通过GSR获得欧盟形式批准(EU...
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第四代与其延展版低功耗动态随机存取内存在车辆应用解决方案
Technical Article
半导体在车辆内应用趋势 日本宣布在即将来临的东京奥运会展示其无人驾驶技术,为近年来汽车智慧化的具体展现。透过第五代行动通讯(5G)与人工智能(AI)的帮助,资通讯界正朝自动驾驶车的目标努力。资通讯技术在车内的应用已经从早期的娱乐影音播放以及导航系统,慢慢加入目前正发展的深度学习与车间通讯(V2X)以达到最终无人驾驶的目标。但要达到此目标,无论哪一种资通讯技术,半导体无疑是背后主要的推力。 先进驾驶辅助系统(ADAS)是目前在车用资通讯环境中最普遍应用之一,其基本上由许多子功能所组成,包括主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商长期以来一直试着添加更多主动式安全保护...
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嵌入式系统开发商采用Serial NAND Flash做为AI系统储存内存的优势
Technical Article
对于人工智能 (AI) 带来的创新潜能,各个市场领域的嵌入式系统开发商皆展现浓厚兴趣。但其实若就「创新」角度来看,似乎显得有点奇怪,毕竟AI的基础技术本身并非崭新概念:植基在IBM的超级计算机 “深蓝(Deep Blue)” 的AI系统早在1997年就击败了西洋棋世界冠军Garry Kasparov。 尽管如此,在此重大突破后的20年来,推展各种AI技术的进程却相当缓慢。这些技术直到2010年代后期才被整合,使得AI跻身嵌入式系统发展的主流技术之列,而此推展之路由于两大因素变得平顺许多:第一是业界可取得采用大量传感器的物联网系统所产生的庞大训练数据库;还有透过YouTube、Instagram...
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移动随机存取内存 - 低功耗双存取同步动态随机存取内存
LPDDR SDRAM
华邦LPDDR SDRAM(低功耗单存取同步动态随机存取记忆体)产品系列的设计特定的功能以降低功耗,包括部分区域数组自我刷新(PASR),自动温度补偿自我刷新(ATCSR),省电模式,深度睡眠省电模式,和可程式化的驱动输出。 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们
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W25Q80NE
8M-bit 1.2V Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI 产品特点 Dual/Quad Serial Peripheral Interface Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks 4,096 pages (256 bytes) Single/Dual/Quad Fast Read instructions 8/16/32/64byte wrap around for Fast Read Dual/Quad I/O instru...
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W71NW10GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GC1DW.html?__locale=zh
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W71NW10GC3DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
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W71NW10GE3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
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W71NW10GF3FW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...
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W71NW11GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...
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W71NW11GE1EW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...
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W71NW11GF1EW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...
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